InGaAS-APD मोड्युल श्रृंखला
| फोटोइलेक्ट्रिक विशेषताहरू (＠Ta＝22±3℃) | |||
| मोडेल | GD6510Y | GD6511Y | GD6512Y |
| प्याकेज फारम | TO-8 | TO-8 | TO-8 |
| प्रकाश संवेदनशील सतह व्यास (मिमी) | ०.२ | ०.५ | ०.०८ |
| स्पेक्ट्रल प्रतिक्रिया दायरा (nm) | 1000~1700 | 1000~1700 | 1000~1700 |
| ब्रेकडाउन भोल्टेज (V) | ३०~७० | ३०~७० | ३०~७० |
| उत्तरदायित्व M=10 l=1550nm(kV/W) | ३४० | ३४० | ३४० |
| उठ्ने समय (ns) | 5 | 10 | २.३ |
| ब्यान्डविथ (MHz) | 70 | 35 | १५० |
| समान आवाज शक्ति (pW/√Hz) | ०.१५ | ०.२१ | ०.११ |
| कार्य भोल्टेज तापमान गुणांक T=-40℃~85℃(V/℃) | ०.१२ | ०.१२ | ०.१२ |
| एकाग्रता (μm) | ≤50 | ≤50 | ≤50 |
| विश्वव्यापी रूपमा समान प्रदर्शनको वैकल्पिक मोडेलहरू | C3059-1550-R2A | / | C3059-1550-R08B |
फ्रन्ट प्लेन चिप संरचना
छिटो प्रतिक्रिया
उच्च डिटेक्टर संवेदनशीलता
लेजर दायरा
लिडर
लेजर चेतावनी
फ्रन्ट प्लेन चिप संरचना
छिटो प्रतिक्रिया
उच्च डिटेक्टर संवेदनशीलता
लेजर दायरा
लिडर
लेजर चेतावनी
