1064nmAPD एकल ट्यूब श्रृंखला
| फोटोइलेक्ट्रिक विशेषताहरू (＠Ta＝22±3℃) | |||||
| मोडेल | GD5210Y-3-500 | GD5210Y-3-800 | GD5211Y | ||
| प्याकेज फारम | TO-46 | TO-46 | TO-52 | ||
| प्रकाश संवेदनशील सतह व्यास (मिमी) | ०.५ | ०.८ | ०.८ | ||
| स्पेक्ट्रल प्रतिक्रिया दायरा (nm) | ४००~११०० | ४००~११०० | ४००~११०० | ||
| शिखर प्रतिक्रिया तरंगदैर्ध्य (nm) | ९८० | ९८० | ९८० | ||
| प्रतिक्रियाशीलता | λ=905nm Φ=1μW M = 100 | 58 | 58 | 58 | |
| λ=1064nm Φ=1μW M = 100 | 36 | 36 | 36 | ||
| अँध्यारो वर्तमान M=100(nA) | सामान्य | 2 | 4 | 10 | |
| अधिकतम | 20 | 20 | 20 | ||
| प्रतिक्रिया समय λ=800nm R1=50Ω(ns) | 2 | 3 | ३.५ | ||
|
कार्य भोल्टेज तापमान गुणांक T=-40℃~85℃(V/℃) | २.२ | २.२ | २.२ | ||
| कुल क्यापेसिटन्स M=100 f=1MHz(pF) | १.० | १.५ | ३.५ | ||
| ब्रेकडाउन भोल्टेज IR=10μA(V) | न्यूनतम | 220 | 220 | ३५० | |
| अधिकतम | ५८० | ५८० | ५०० | ||
फ्रन्ट प्लेन चिप संरचना
उच्च प्रतिक्रिया आवृत्ति
उच्च लाभ
लेजर दायरा
लिडर
लेजर चेतावनी
फ्रन्ट प्लेन चिप संरचना
उच्च प्रतिक्रिया आवृत्ति
उच्च लाभ
लेजर दायरा
लिडर
लेजर चेतावनी
