DETECTOR कारखाना, आपूर्तिकर्ता - चीन DETECTOR निर्माताहरू

355nm APD

यो ठूलो फोटोसेन्सिटिभ सतह र परिष्कृत UV संग Si avalanche photodiode हो।यसले UV देखि NIR सम्मको उच्च संवेदनशीलता प्रदान गर्दछ।

जांच विस्तार
800nm APD

यो Si avalanche photodiode हो जसले UV देखि NIR सम्मको उच्च संवेदनशीलता प्रदान गर्दछ।शिखर प्रतिक्रिया तरंगदैर्ध्य 800nm छ।

जांच विस्तार
905nm APD

यो Si avalanche photodiode हो जसले UV देखि NIR सम्मको उच्च संवेदनशीलता प्रदान गर्दछ।शिखर प्रतिक्रिया तरंगदैर्ध्य 905nm छ।

जांच विस्तार
1064nm APD

यो Si avalanche photodiode हो जसले UV देखि NIR सम्मको उच्च संवेदनशीलता प्रदान गर्दछ।शिखर प्रतिक्रिया तरंगदैर्ध्य 1064nm छ।उत्तरदायित्व: 36 A/W 1064 nm मा।

जांच विस्तार
1064nm APD मोड्युलहरू

यो प्रि-एम्प्लीफिकेशन सर्किटको साथमा Si avalanche photodiode मोड्युललाई परिष्कृत गरिएको छ जसले कमजोर वर्तमान सिग्नललाई एम्प्लीफाइड गर्न र फोटोन-फोटोइलेक्ट्रिक-सिग्नल एम्प्लीफिकेशनको रूपान्तरण प्रक्रिया प्राप्त गर्न भोल्टेज सिग्नलमा रूपान्तरण गर्न सक्षम बनाउँछ।

जांच विस्तार
InGaAs APD मोड्युलहरू

यो पूर्व-प्रवर्द्धन सर्किटको साथ इन्डियम ग्यालियम आर्सेनाइड हिमस्खलन फोटोडियोड मोड्युल हो जसले कमजोर वर्तमान संकेतलाई एम्प्लीफाइड गर्न र फोटोन-फोटोइलेक्ट्रिक-सिग्नल प्रवर्धनको रूपान्तरण प्रक्रिया प्राप्त गर्न भोल्टेज सिग्नलमा रूपान्तरण गर्न सक्षम गर्दछ।

जांच विस्तार
चार-चतुर्थांश APD

यसमा Si avalanche photodiode को चार समान एकाइहरू छन् जसले UV देखि NIR सम्मको उच्च संवेदनशीलता प्रदान गर्दछ।शिखर प्रतिक्रिया तरंगदैर्ध्य 980nm छ।उत्तरदायित्व: 40 A/W 1064 nm मा।

जांच विस्तार
चार-चतुर्थांश APD मोड्युलहरू

यसमा प्रि-एम्प्लीफिकेशन सर्किटको साथ Si avalanche photodiode को चार समान एकाइहरू छन् जसले कमजोर वर्तमान सिग्नललाई एम्प्लीफाइड गर्न र फोटोन-फोटोइलेक्ट्रिक-सिग्नल एम्प्लीफिकेशनको रूपान्तरण प्रक्रिया प्राप्त गर्न भोल्टेज सिग्नलमा रूपान्तरण गर्न सक्षम बनाउँछ।

जांच विस्तार
850nm Si PIN मोड्युलहरू

यो 850nm Si PIN फोटोडियोड मोड्युल प्रि-एम्प्लीफिकेशन सर्किटको साथ हो जसले कमजोर वर्तमान सिग्नललाई एम्प्लीफाइड गर्न र फोटोन-फोटोइलेक्ट्रिक-सिग्नल एम्प्लीफिकेशनको रूपान्तरण प्रक्रिया प्राप्त गर्न भोल्टेज सिग्नलमा रूपान्तरण गर्न सक्षम बनाउँछ।

जांच विस्तार
900nm Si PIN फोटोडियोड

यो Si PIN फोटोडियोड हो जसले रिभर्स बायस अन्तर्गत काम गर्छ र UV देखि NIR सम्मको उच्च संवेदनशीलता प्रदान गर्दछ।शिखर प्रतिक्रिया तरंगदैर्ध्य 930nm छ।

जांच विस्तार
1064nm Si PIN फोटोडियोड

यो Si PIN फोटोडियोड हो जसले रिभर्स बायस अन्तर्गत काम गर्छ र UV देखि NIR सम्मको उच्च संवेदनशीलता प्रदान गर्दछ।शिखर प्रतिक्रिया तरंगदैर्ध्य 980nm छ।उत्तरदायित्व: 0.3A/W 1064 nm मा।

जांच विस्तार
फाइबर Si PIN मोड्युलहरू

अप्टिकल सिग्नललाई अप्टिकल फाइबर इनपुट गरेर हालको सिग्नलमा रूपान्तरण गरिन्छ।Si PIN मोड्युल प्रि-एम्प्लीफिकेशन सर्किटसँग छ जसले कमजोर वर्तमान सिग्नललाई एम्प्लीफाइड गर्न र फोटोन-फोटोइलेक्ट्रिक-सिग्नल एम्प्लीफिकेशनको रूपान्तरण प्रक्रिया प्राप्त गर्न भोल्टेज सिग्नलमा रूपान्तरण गर्न सक्षम बनाउँछ।

जांच विस्तार