905nm APD

मोडेल: GD5210Y-2-2-TO46/ GD5210Y-2-5-TO46/ GD5210Y-2-8-TO46/ GD5210Y-2-2-LCC3/ GD5210Y-2-5-LCC3/ GD5210Y-2-2-PP/ GD5210Y-2-5-P/ एरे

छोटो विवरण:

यो Si avalanche photodiode हो जसले UV देखि NIR सम्मको उच्च संवेदनशीलता प्रदान गर्दछ।शिखर प्रतिक्रिया तरंगदैर्ध्य 905nm छ।

उद्धरण प्राप्त गर्नुहोस् डाउनलोड गर्नुहोस्

प्राविधिक प्यारामिटर

उत्पादन ट्यागहरू

विशेषताहरु

फ्रन्टसाइड प्रबुद्ध समतल चिप
उच्च गति प्रतिक्रिया
उच्च APD लाभ
कम जंक्शन क्षमता
कम शोर
एरे आकार र फोटोसेन्सिटिभ सतह अनुकूलित गर्न सकिन्छ।

अनुप्रयोगहरू

लेजर दायरा
लेजर रडार
लेजर चेतावनी

फोटोइलेक्ट्रिक प्यारामिटर (@Ta=22±3℃)

वस्तु #	प्याकेज कोटि	फोटोसेन्सिटिभ सतहको व्यास (मिमी)	स्पेक्ट्रल प्रतिक्रिया दायरा (nm)	पीक प्रतिक्रिया तरंगदैर्ध्य (nm)	उत्तरदायित्व λ=905nm φe=1μW M = 100 (A/W)	प्रतिक्रिया समय λ=905nm R_L=50Ω (ns)	अँध्यारो वर्तमान M = 100 (nA)		तापमान गुणांक Ta=-40℃～85℃ (V/℃)	कुल क्षमता M = 100 f=1MHz (pF)	ब्रेकडाउन भोल्टेज I_R=10μA (V)
वस्तु #	प्याकेज कोटि	फोटोसेन्सिटिभ सतहको व्यास (मिमी)	स्पेक्ट्रल प्रतिक्रिया दायरा (nm)	पीक प्रतिक्रिया तरंगदैर्ध्य (nm)	उत्तरदायित्व λ=905nm φe=1μW M = 100 (A/W)	प्रतिक्रिया समय λ=905nm R_L=50Ω (ns)	टाइप गर्नुहोस्।	अधिकतम	तापमान गुणांक Ta=-40℃～85℃ (V/℃)	कुल क्षमता M = 100 f=1MHz (pF)	न्यूनतम	अधिकतम
GD5210Y-2-2-TO46	TO-46	०.२३	400-1100	९०५	55	०.६	०.२	१.०	०.९	१.०	130	220
GD5210Y-2-5-TO46	TO-46	०.५०					०.४	१.०		१.२
GD5210Y-2-8-TO46	TO-46	०.८०					०.८	२.०		२.०
GD5210Y-2-2-LCC3	LCC3	०.२३					०.२	१.०		१.०
GD5210Y-2-5-LCC3	LCC3	०.५०					०.४	१.०		१.२
GD5210Y-2-2-P	प्लास्टिक प्याकेज	०.२३					०.२	१.०		१.०
GD5210Y-2-5-P	प्लास्टिक प्याकेज	०.५०					०.४	१.०		१.२
एरे	PCB	अनुकूलित				फोटोसेन्सिटिभ सतह अनुसार	फोटोसेन्सिटिभ सतह अनुसार			फोटोसेन्सिटिभ सतह अनुसार	160	२००